第九十四章 芯片工艺 (2/2)

绝缘层处理，此时晶体管雏形已经基本完成，利用气相沉积法，在硅晶圆表面全面地沉积一层氧化硅膜，形成绝缘层。

同样利用光刻掩模技术在层间绝缘膜上开孔，以便引出导体电极。

沉淀铜层，利用溅射沉积法，在硅片整个表面上沉积布线用的铜层，继续使用光刻掩模技术对铜层进行雕刻，形成场效应管的源极、漏极、栅极。

最后在整个硅片表面沉积一层绝缘层以保护晶体管。

构建晶体管之间连接电路。

经过漫长的工艺，数以十亿计的晶体管已经制作完成。

剩下的就是如何将这些晶体管连接起来的问题了。

同样是先形成一层铜层，然后光刻掩模、蚀刻开孔等精细操作，再沉积下一层铜层。

这样的工序反复进行多次，这要视乎芯片的晶体管规模、复制程度而定。

最终形成极其复杂的多络。

由于现在ic包含各种精细化的元件以及庞大的互联电路，结构非常复杂，实际电路层数已经高达30层，表面各种凹凸不平越来越多，高低差异很大，因此开发出cmp化学机械抛光技术。

每完成一层电路就进行cmp磨平。

另外为了顺利完成多层cu立体化布线，开发出大马士革法新的布线方式，镀上阻挡金属层后，整体溅镀cu膜，再利用cu和阻挡金属层去除干净，形成所需布线。

芯片电路到此已经基本完成，其中经历几百道不同工艺加工，而且全部都是基于精细化操作，任何一个地方出错都会导致整片硅片报废，在100多平方毫米的硅片上制造出数十亿个晶体管，是人类有文明以来的所有智慧的结晶。

而弄得这么复杂，几百道工序下来，不过是为了在硅片上面，雕刻纹路，注入导电杂质，形成开关。

www.520dus.com 520读书网book_101962/502922004.l)

请记住本书首发域名：x.手机版阅读网x