第225章 技术瓶颈 (2/2)

一直到二零一六年，河兰阿斯慢公司才完成了，对euv光刻机技术的突破，并最终实现了euv光刻机的量产，一举垄断了全球的euv光刻机市场。

星光科技集团想要研发euv光刻机技术，难度可以说是非常的大，而且这也不仅仅只是投资多少研发费用的问题。

13.5nm引领下一代光源，新技术面临巨大挑战，更先进的euv光刻系统，采用波长为13.5n的114。

该光源被称为激光等离子体光源，是通过用高功率二氧化碳激光器激发锡（sn）金属液滴，通过高价波长的辐射。

除了这些问题之外，该光源的稳定性和聚光元件的保护，也是巨大的挑战。

因为用于激发的激光器本身存在抖动，激光与等离子体作用时产生的污染将会对光源聚光元件造成影响和破坏。

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